光刻资猜中阴离子的测定

光刻工艺是半导体造作中最为沉要的工艺步骤之一。重要作用是将掩膜板上的图形复造到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好筹备。光刻的成本约为整个硅片造作工艺的 1/3，耗费功夫约占整个硅片工艺的 40～60%。通常的光刻工艺要经历硅片表表洗濯烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、检测等工序。光刻胶是一种经过严格设计的复杂、精密的配方产品，由树脂、光引发剂、单体、增长剂等分歧性质的原料，通过分歧的分列组合，经过复杂、精密的加工工艺而造成。目前集成电路的集成水平已由原来的微米级水平进入纳米级水平，为了匹配集成电路的发展水平，造备超净高纯试剂的纯度也由 SEMI G1 逐步提升到 SEMI G4 级水平，对杂质的检验能力要求也相应提高。

（1）阴离子

分析柱：SH-G-1+SH-AC-11

流动相：15 mM KOH（EG）

流速：1.0 mL/min

柱温：35℃

抑造器：SHY-A-6

进样体积：100 μL

前处置：称取 2 g 样品于 50 mL 样品管中，参与 10 mL 去离子水，于 60℃水浴 1 h，取出冷却至室温，提取液过 0.22 μm 一次性针头过滤器后进样分析。

色谱丈量数据

PC 中阴离子谱图

色谱丈量数据

PP 中阴离子谱图

色谱丈量数据

ABS 中阴离子谱图

（2）阳离子

分析柱：SH-G-1+SH-CC-3L

流动相：6 mM MSA（EG）

流速：1.0 mL/min

柱温：35℃

抑造器：SHY-A-6

进样体积：100 μL

前处置：称取 2 g 样品于 50 mL 样品管中，参与 10 mL 去离子水，于 60℃水浴 1 h，取出冷却至室温，提取液过 0.22 μm 一次性针头过滤器后进样分析。

色谱丈量数据

PC 中阴离子谱图

色谱丈量数据

PP 中阴离子谱图

色谱丈量数据

ABS 中阴离子谱图